晶彩科技提供RFID 相关技术的CMOS制程 IC设计服务，以满足不同RFID的应用需求，CMOS制程依不同客户需求或RFID周边功能的IC生产需求，可以涵盖0.35um、0.25um、0.18um、0.13um等不同的IC制程。

RFID的 IC设计主要涵盖三个技术领域，包括:
1. 类比RF技术 – RFID的模拟RF部分主要是负责提供IC稳定的电源供给，IC与外界的无线通讯，包括所使用的无线频段、无线接收(Rx)/传送(Tx)技术、讯号调变技术等，RFID设计的无线频段主要区分为四个不同的频段，包括低频(125K-133K)、高频(13.56MHz)、超高频(315MHz、433MHz、860-960MHz)以及微波(2.4GHz & 5.7GHz)。
2. 数字技术 – RFID的数字技术主要是负责IC与外界沟通的指令集，通信协议Protocol，加减密的算法。此数字技术的功能即根据上述的规则编译成预存的程序代码，设计为FPGA形式的IC线路，负责整个RFID IC的动作。
3. 内存技术 – 内存功能是RFID IC不可或缺的ㄧ环，RFID的内存技术包括Mask ROM光罩式只读存储器，OTP(One-Time Programming)单次烧录式只读存储器，EEPROM电流可消除可程序多次读写内存。

晶彩科技的RFID IC设计技术涵盖上述三个领域，可以因应不同客户的需求，使用不同的RF频段，利用不同的数字规则，组合不同的内存容量，设计成不同功能的RFID IC。关于内存的设计，晶彩科技可以提供自96 位至4M位的不同容量EEPROM，以满足客户的特殊需求。若有 RFID IC 设计的需求, 请与我们连络: rfid@favite.com